欧博会员开户:国度存储器基地项目二期开工 筹划产能20万片/月

蚌埠新闻网/2020-06-25/ 分类:六安科技/阅读:

6月20日,紫光团体宣布动静,由长江存储实施的国度存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工,筹划产能20万片/月,达产后与一期项目合计月产能将达30万片。

不容忽视的是,行业龙头三星近期也在闪存规模动作几回。6月1日,其公布将在韩国平泽工场扩产NAND闪存芯片,同时该公司在西安的闪存项目也在一连扩大投资,打算建玉成球局限最大闪存芯片制造基地。

调查者网留意到,受上述动静影响,本日A股早盘,光刻胶、半导体、国产芯片等板块纷纷走强。个股方面,瑞芯微、北方华创、中微公司、北京君正、华特气体、华峰测控等集成电路观念股均大幅上涨。

A股半导体板块今天股价信息

一期主要实现技能打破

紫光团体先容,长江存储国度存储器基地项目由紫光团体、国度集成电路基金、湖北省科投团体和湖北省集成电路基金配合投资建树,打算分两期建树3D NAND闪存芯片工场,总投资240亿美元。

个中,项目一期于2016年底开工建树,希望顺利,32层、64层存储芯片产物已实现不变量产。

在开工典礼上,紫光团体、长江存储董事长赵伟国暗示,国度存储器基地项目一期开工建树以来,从一片冷落之地酿成了一座世界领先的存储器芯片工场,实现了技能程度从跟跑到并跑的超过。

在64层3D NAND闪存量产7个月后,长江存储本年4月公布新的研发希望,其跳过96层,乐成研制出业内已知型号产物中最高单元面积贮储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。

谈及量产时间,长江存储其时向调查者网暗示,共同前述产能,128层NAND闪存将于本年年底到来岁上半年连续量产。

2019年9月,长江存储焦点厂区 图片来历:长江存储官网

西南证券6月21日阐明指出,长江存储一期主要实现技能打破,并建成10万片月产能,打算将于2020年底满产,思量到海外厂商扩产情况,届时长江存储市全球占率将达5%阁下。

“2018年长江存储打破32层3D闪存,与海外差距3-4年;2019年其实现64层技能量产,与海外差距缩小至2年;本年4月,长江存储128层QLC 3D闪存研制乐成,若128层年底实现量产,则与三星、海力士、美光等海外厂商技能差距缩小至1年,一期的技能打破任务已根基完成。”该券商阐明称。

华创证券阐明指出,存储器是信息系统的基本焦点芯片,最能代表集成电路产业局限经济效益和先进制造工艺,也是中国入口金额最大的集成电路产物。近些年内存、固态硬盘、显卡价值屡现上涨,来源在于存储芯片把握在少数海外厂家手中。国产化将低落海内半导体产物本钱,并晋升上游设备公司订单。

6月9日,基于二季度数据,SEMI(国际半导体产业协会)调解2021年全球晶圆厂设备开支局限的预测值,由此前预估的657亿美元上调至创记载的677亿美元,估量同比增长率为24%。个中,存储器工场的设备开支局限最大,估量到达300亿美元。

前述券商统计数据显示,停止本年6月20日,海内设备厂商在长江存储中标数量排名依次为:北方华创(中标56台)、屹唐(46)、中微公司(38)、盛美半导体(18)、华海清科(11)、精测电子(8)、沈阳拓荆(5)、中科飞测(3)、睿励(2),包围刻蚀、沉积、检测、清洗、CMP多个规模。

三星、海力士纷纷扩产

事实上,今朝全球闪存市场仍高度会合且被海外厂商把持。2020年一季度,三星、铠侠(东芝)、西部数据、美光、海力士、英特尔等在全球闪存市场所计占有率超99%。

数据来历:TrendForce

3月底,

联博开奖

www.326681.com采用以太坊区块链高度哈希值作为统计数据,联博以太坊统计数据开源、公平、无任何作弊可能性。联博统计免费提供API接口,支持多语言接入。

,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的观测显示,固然新冠疫情伸张,使得2020年第一季度的终端产物出货动能分外疲弱,但在闪存(NAND Flash)规模,由于2020年全年供应收缩,加上各大供给商成本支出守旧,第一季NAND Flash均价在淡季仍上涨约5%。

展望第二季度,该机构指出,北美及中国市场数据中心的买方立场仍相当努力,企业级固态硬盘(Enterprise SSD)也成为所有应用种别中缺货态势最为明明的产物。由于Enterprise SSD占整体NAND Flash出货比重一连晋升,因此价值的强劲表示也发动第二季整体NAND Flash均价将上涨至少5%。

数据来历:TrendForce

而跟着“宅经济”敦促对存储需求的增加,加之价值上涨,龙头厂商也纷纷开始扩产。

6月1日,路透社报道,三星电子公布,将扩大其在韩国平泽市(Pyeongtaek)的NAND闪存芯片出产本领,以押注将来对小我私家计较机和处事器的需求,因为新冠病毒促使更多人在家事情。

报道指出,三星打算在来岁下半年大局限出产该芯片,新增的产能将有助于满意对5G手机和其他设备的需求。阐明师估量,三星此次投资额将在7万亿韩元至8万亿韩元(约合65亿美元)之间。

7个月前,三星公布启动西安闪存芯片(NAND)项目二期第二阶段80亿美元(约合人民币563亿元)投资。项目建成后将新增产能每月13万片,使西安成为全球局限最大的闪存芯片制造基地。

与此同时,据DIGITIMES本年4月报道,SK海力士将在韩国M15工场增加NAND Flash产能。

报道指出,之前因为市场供过于求,SK海力士把2019年NAND Flash晶圆较2018年淘汰10%以上,这也导致其产能爬坡速度有所减缓,不外在三星投资加快刺激下,SK海力士或也在思量提高增产速度。

调查者网专栏作者铁流此前阐明,由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所把持,出格是韩国企业拥有很是高的市场份额,这直接导致存储芯片价值很容易受到把持企业决定影响……长江存储在64层NAND上取得打破,将来将有效缓解了在NAND上单一依赖进供词应的排场。

阅读:
广告 330*360
广告 330*360

热门文章

HOT NEWS
  • 周榜
  • 月榜
六安新闻网
微信二维码扫一扫
关注微信公众号
新闻自媒体 Copyright © 2002-2019 六安新闻网 版权所有
二维码
意见反馈 二维码